MJD127T4G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 33 шт. —
150 руб.
от 65 шт. —
139 руб.
от 129 шт. —
130 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 540 руб.
Посмотреть аналоги3
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт
Технические параметры
Корпус | DPAK/TO-252AA | |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 4.5 V | |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V | |
Maximum Collector Cut-off Current | 0.01mA | |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 4 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V | |
Maximum Continuous Collector Current | 8 A | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Minimum DC Current Gain | 100 | |
Minimum Operating Temperature | -65 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | DPAK(TO-252) | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Type | PNP | |
Width | 6.22mm | |
Case | DPAK | |
Collector current | 8A | |
Collector-emitter voltage | 100V | |
Kind of transistor | Darlington | |
Manufacturer | ONSEMI | |
Mounting | SMD | |
Polarisation | bipolar | |
Power dissipation | 20W | |
Type of transistor | PNP | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 106 КБ
Datasheet
pdf, 87 КБ
MJD122, NJVMJD122 (NPN), MJD127, NJVMJD127 (PNP)
pdf, 100 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары