IXFH26N50P, Транзистор полевой N-канальный 500В 26А 400Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 320 руб.
от 3 шт. —
1 230 руб.
от 5 шт. —
1 160 руб.
от 9 шт. —
1 100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 320 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 500В 26А 400Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247AD(IXFH) | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 26 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 230 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 400 W | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-247 | |
Pin Count | 3 | |
Series | HiperFET, Polar | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
Width | 5.3mm | |
Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFH26N50P
pdf, 323 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов