FZT851TA, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А, 3Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
95 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 28 шт. —
77 руб.
от 55 шт. —
72 руб.
от 110 шт. —
67 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 475 руб.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А, 3Вт
Технические параметры
| Корпус | SOT-223 | |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1.65 mm | |
| Длина | 6.7 mm | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 10 A, 1 V | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 375 mV | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V | |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | NPN | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Серия | FZT851 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | Diodes Incorporated | |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 | |
| Ширина | 3.7 mm | |
| Base Product Number | FZT851 -> | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6A | |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V | |
| ECCN | EAR99 | |
| Frequency - Transition | 130MHz | |
| HTSUS | 8541.29.0075 | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA | |
| Power - Max | 3W | |
| REACH Status | REACH Affected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | SOT-223 | |
| Transistor Type | NPN | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 375mV @ 300mA, 6A | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V | |
| Brand | Diodes Incorporated | |
| Collector- Base Voltage VCBO | 150 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 375 mV | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current | 6 A | |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 25 at 10 A, 1 V | |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Gain Bandwidth Product FT | 130 MHz | |
| Manufacturer | Diodes Incorporated | |
| Maximum DC Collector Current | 20 A | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Packaging | Cut Tape or Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 3 W | |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors | |
| Series | FZT851 | |
| Subcategory | Transistors | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage | 150 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V | |
| Maximum Power Dissipation | 3 W | |
| Minimum DC Current Gain | 100 | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Pin Count | 3+Tab | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 58 КБ
Datasheet FZT851TA
pdf, 449 КБ
Datasheet FZT851TA
pdf, 457 КБ
Datasheet FZT851TA
pdf, 533 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
