SI7634BDP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 22.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Фото 1/2 SI7634BDP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 22.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 600 000 руб.
Номенклатурный номер: 8000999047
Артикул: SI7634BDP-T1-GE3

Описание

Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 30V 22.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Quad Drain Triple Source
ECCN (US) EAR99
Lead Shape No Lead
Maximum Continuous Drain Current (A) 22.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 5.4@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 5000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 8
Pin Count 8
PPAP No
Process Technology TrenchFET
Product Category Power MOSFET
Supplier Package PowerPAK SO
Typical Fall Time (ns) 12|8
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 45.5
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 21.5@4.5V|45.5@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 3150@15V
Typical Rise Time (ns) 12|10
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 34
Typical Turn-On Delay Time (ns) 30|12
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.04 mm
Длина 6.15 mm
Другие названия товара № SI7634BDP-GE3
Категория продукта МОП-транзистор
Коммерческое обозначение TrenchFET
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SI7
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка / блок PowerPAK-SO-8
Ширина 5.15 mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 363 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов