TJ50S06M3L(T6L1,NQ, MOSFET P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138
![Фото 1/2 TJ50S06M3L(T6L1,NQ, MOSFET P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614879.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/169/DOC004169123.jpg)
19735 шт., срок 6-8 недель
530 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 530 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзисторы U-MOSVI с малым сигналомМОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI с малым сигналом предлагают различные напряжения управления затвором, необходимые для многих различных типов мобильных устройств. Они доступны в одноканальном, двухканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и в версиях с различным напряжением, предоставляя разработчикам широкий спектр возможностей. Каждый полевой МОП-транзистор удовлетворяет потребности в поддержке сильноточной зарядки при низком напряжении и низком значении R DS(on). Компактный корпус и низковольтная работа делают полевые МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI Small Signal идеальным решением для корпусов высокой плотности в смартфонах и игровых консолях.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 90 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 124 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 13.8 mOhms |
Series: | TJ50S06M3L |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | U-MOSVI |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Automotive | Yes |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Material | Si |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 50 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 13.8@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 10 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
Maximum IDSS (uA) | 10 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 90000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | Unknown |
Process Technology | U-MOS VI |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK+ |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 195 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 124 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 124@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 6290@10V |
Typical Rise Time (ns) | 77 |
Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары