Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › BCX55TA, Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW ...

BCX55TA, Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 руб.

Мин. кол-во для заказа 2400 шт.

Добавить в корзину 2400 шт. на сумму 31 200 руб.

Номенклатурный номер: 8001034945

Артикул: BCX55TA

Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K

Технические параметры

EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Type	NPN
Product Category	Bipolar Power
Material	Si
Configuration	Single Dual Collector
Number of Elements per Chip	1
Maximum Collector Base Voltage (V)	60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	60
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.5@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A)	1
Minimum DC Current Gain	25@5mA@2V\|40@150mA@2V\|25@500mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW)	2000
Maximum Transition Frequency (MHz)	150(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Supplier Temperature Grade	Automotive
Packaging	Tape and Reel
Automotive	No
Standard Package Name	SOT
Pin Count	4
Supplier Package	SOT-89
Military	No
Mounting	Surface Mount
Package Height	1.5
Package Length	4.5
Package Width	2.5
PCB changed	3
Tab	Tab
Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.6 mm
Длина	4.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25 at 5 mA, 2 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1.5 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BCX55
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.6 mm
Brand	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
DC Collector/Base Gain Hfe Min	25 at 5 mA, 2 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	1000
Gain Bandwidth Product FT	150 MHz
Manufacturer	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current	1.5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-89-3
Pd - Power Dissipation	1000 mW
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	BCX55
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Maximum Collector Base Voltage	60 V
Maximum Collector Emitter Voltage	60 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	150 MHz
Maximum Power Dissipation	1 W
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	SOT-89
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	1