ST13003DN, Trans GP BJT NPN 400V 1A 20000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Bag
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
988 шт., срок 6-8 недель
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 130 шт.
Добавить в корзину 130 шт.
на сумму 33 800 руб.
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Obsolete |
Type | NPN |
Product Category | Bipolar Power |
Configuration | Single |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 400 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 9 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.3@330mA@1A|1.2@125mA@0.5A |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7@125mA@0.5A|1.2@330mA@1A |
Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
Minimum DC Current Gain | 6@0.5A@2V|5@1A@10V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 20000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Bag |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | SOT-32 |
Standard Package Name | TO-126 |
Military | No |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 10.8(Max) |
Package Length | 7.8(Max) |
Package Width | 2.7(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Through Hole |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet ST13003DN
pdf, 148 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.