Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SI7113DN-T1-E3, Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A ...

SI7113DN-T1-E3, Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

360 руб.

Мин. кол-во для заказа 90 шт.

от 100 шт. — 339 руб.

Добавить в корзину 90 шт. на сумму 32 400 руб.

Номенклатурный номер: 8001171278

Артикул: SI7113DN-T1-E3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

МОП-транзистор -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Технические параметры

EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Product Category	Power MOSFET
Configuration	Single Quad Drain Triple Source
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Continuous Drain Current (A)	3.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	134@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	16.5@4.5V\|35@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	35
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1480@50V
Maximum Power Dissipation (mW)	3700
Typical Fall Time (ns)	40
Typical Rise Time (ns)	110
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	51
Typical Turn-On Delay Time (ns)	30
Minimum Operating Temperature (°C)	-50
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tape and Reel
AEC Qualified	No
Standard Package Name	PowerPAK 1212
Pin Count	8
Supplier Package	PowerPAK 1212
Military	No
Mounting	Surface Mount
Package Height	1.07(Max)
Package Length	3.05
Package Width	3.05
PCB changed	8
Lead Shape	No Lead
Id - непрерывный ток утечки	13.2 A
Pd - рассеивание мощности	52 W
Qg - заряд затвора	35 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	134 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	13 ns
Время спада	10 ns
Высота	1.04 mm
Длина	3.3 mm
Другие названия товара №	SI7113DN-E3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	25 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	50 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI7
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	42 ns
Типичное время задержки при включении	11 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8
Ширина	3.3 mm
Вес, г	1