BC849CLT1G, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27 руб.
Мин. кол-во для заказа 1200 шт.
Добавить в корзину 1200 шт.
на сумму 32 400 руб.
Посмотреть аналоги9
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 420@2mA, 5V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 300mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Minimum DC Current Gain | 420 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 108 КБ
Документация
pdf, 213 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары