SI7164DP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 60V 23.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

SI7164DP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 60V 23.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
460 руб.
Мин. кол-во для заказа 70 шт.
от 100 шт.387 руб.
Добавить в корзину 70 шт. на сумму 32 200 руб.
Номенклатурный номер: 8001212478
Артикул: SI7164DP-T1-GE3

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 60 A
Maximum Drain Source Resistance 6.25 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 104 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2.5V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type PowerPAK SO-8
Pin Count 8
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 49.5 nC @ 10 V
Width 5.26mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 439 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов