SI6926ADQ-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R

Фото 1/2 SI6926ADQ-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 330 000 руб.
Номенклатурный номер: 8020145847
Артикул: SI6926ADQ-T1-GE3

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.2 mm
Длина 4.4 mm
Другие названия товара № SI6926ADQ-GE3
Категория продукта МОП-транзистор
Коммерческое обозначение TrenchFET
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SI6
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка / блок TSSOP-8
Ширина 3 mm
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Dual Dual Source
ECCN (US) EAR99
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 4.1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 30@4.5V
Maximum Drain Source Voltage (V) 20
Maximum Gate Source Voltage (V) ±8
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 830
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 8
Pin Count 8
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SO
Supplier Package TSSOP
Typical Fall Time (ns) 9
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 7.5@4.5V
Typical Rise Time (ns) 16
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 46
Typical Turn-On Delay Time (ns) 6
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 231 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов