Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Infineon › BC857SH6327XTSA1, Trans GP BJT PNP 45V 0.1A ...

BC857SH6327XTSA1, Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 240 руб.

Мин. кол-во для заказа 25 шт.

Добавить в корзину 25 шт. на сумму 31 000 руб.

Номенклатурный номер: 8001292783

Артикул: BC857SH6327XTSA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR

Технические параметры

EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	LTB
HTS	8541.29.00.75
PCB changed	6
Package Height	0.9(Max)
Mounting	Surface Mount
Lead Shape	Gull-wing
Package Width	1.25
Package Length	2
Type	PNP
Product Category	Bipolar Small Signal
Material	Si
Configuration	Dual
Number of Elements per Chip	2
Maximum Collector Base Voltage (V)	50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	45
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	0.7(Typ)@0.5mA@10mA\|0.85(Typ)@5mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.3@0.5mA@10mA\|0.65@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A)	0.1
Minimum DC Current Gain	200@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW)	250
Maximum Transition Frequency (MHz)	250(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tape and Reel
Automotive	Yes
AEC Qualified Number	AEC-Q101
Supplier Package	SOT-363
Pin Count	6
Standard Package Name	SOT-26
Military	No
Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	BC 857S H6327 SP000747456
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	630
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	250 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC857
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	SOT-363-6
Base Product Number	BC857 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	250MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max	250mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	PG-SOT363-6
Transistor Type	2 PNP (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Вес, г	1