SQ2303ES-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 руб.
Мин. кол-во для заказа 22 шт.
от 100 шт. —
13 руб.
от 1000 шт. —
10.78 руб.
Добавить в корзину 22 шт.
на сумму 352 руб.
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.13Ом |
Power Dissipation | 1.9Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 1.9Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.13Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-236 |
Техническая документация
Datasheet SQ2303ES-T1_GE3
pdf, 184 КБ