IHW30N160R5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт

Фото 1/3 IHW30N160R5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
570 руб.
от 30 шт.460 руб.
от 60 шт.436 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 570 руб.
Номенклатурный номер: 8001512340
Артикул: IHW30N160R5XKSA1

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт

Технические параметры

Корпус PG-TO247-3-46
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.6кВ
Continuous Collector Current 30А
Power Dissipation 263Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции Resonant Switching Series
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1600 V
Maximum Continuous Collector Current 30 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 263 W
Number of Transistors 1
Package Type TO-247
Pin Count 3
Automotive No
Military No
Supplier Package TO-247
Вес, г 8.8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1365 КБ
Datasheet IHW30N160R5XKSA1
pdf, 1821 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов