IRFU220PBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 4.8А 42Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
70 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 21 шт. —
62 руб.
от 42 шт. —
59 руб.
от 75 шт. —
55 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 490 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 200В 4.8А 42Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-251 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.8 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W | |
| Qg - заряд затвора | 14 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 75 | |
| Серия | IRFR/U | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-251-3 | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.8A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 25V | |
| Manufacturer | Vishay Siliconix | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2.9A, 10V | |
| Series | - | |
| Supplier Device Package | TO-251AA | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Вес, г | 0.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 810 КБ
Документация
pdf, 790 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
