IRFPC60LCPBF, Транзистор полевой N-канальный 600В 16А 280Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

570 руб.

от 25 шт. — 460 руб.

от 75 шт. — 435 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 570 руб.

Номенклатурный номер: 8001620623

Артикул: IRFPC60LCPBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 600В 16А 280Вт

Корпус	TO-247AC
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	16 A
Maximum Drain Source Resistance	400 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	280 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	120 nC @ 10 V
Width	5.31mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	16A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	280W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 9.6A, 10V
Supplier Device Package	TO-247-3
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес, г	8.5