JANTX2N3019S, Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26219 шт., срок 5-7 недель
830 руб.
Мин. кол-во для заказа 37 шт.
Добавить в корзину 37 шт.
на сумму 30 710 руб.
Технические параметры
EU RoHS | Not Compliant |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Type | NPN |
Product Category | Bipolar Power |
Material | Si |
Configuration | Single |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 140 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@15mA@150mA |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2@15mA@150mA|0.5@50mA@500mA |
Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
Minimum DC Current Gain | 90@10mA@10V|15@1A@10V|50@0.1mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 800 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
Supplier Temperature Grade | Military |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | TO-39 |
Diameter | 9.4(Max) |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 6.6(Max) |
PCB changed | 3 |
Lead Shape | Through Hole |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1132 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары