JANTX2N3019S, Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39

JANTX2N3019S, Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
26219 шт., срок 5-7 недель
830 руб.
Мин. кол-во для заказа 37 шт.
Добавить в корзину 37 шт. на сумму 30 710 руб.
Номенклатурный номер: 8001677651
Артикул: JANTX2N3019S

Технические параметры

EU RoHS Not Compliant
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 140
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 80
Maximum Emitter Base Voltage (V) 7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.1@15mA@150mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.2@15mA@150mA|0.5@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A) 1
Minimum DC Current Gain 90@10mA@10V|15@1A@10V|50@0.1mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V
Maximum Power Dissipation (mW) 800
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 200
Supplier Temperature Grade Military
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package TO-39
Diameter 9.4(Max)
Mounting Through Hole
Package Height 6.6(Max)
PCB changed 3
Lead Shape Through Hole
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1132 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.