2N7002BKS.115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 руб.
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 402 шт.
от 1000 шт. —
7.10 руб.
Добавить в корзину 402 шт.
на сумму 3 618 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
МОП-транзистор Dual N-Channel 60V 300mA
Технические параметры
| Корпус | TSSOP6 | |
| кол-во в упаковке | 3000 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA | |
| Pd - рассеивание мощности | 440 mW | |
| Qg - заряд затвора | 0.6 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 6 ns | |
| Время спада | 7 ns | |
| Высота | 1.1 mm | |
| Длина | 2.2 mm | |
| Другие названия товара № | 934064284115 | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Квалификация | AEC-Q101 | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 550 mS | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Продукт | MOSFET Small Signal | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 2 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
| Ширина | 1.35 mm | |
| Brand | Nexperia | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Dual | |
| Factory Pack Quantity | 3000 | |
| Fall Time | 7 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 550 mS | |
| Id - Continuous Drain Current | 300 mA | |
| Manufacturer | Nexperia | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number Of Channels | 2 Channel | |
| Package / Case | TSSOP-6 | |
| Packaging | Cut Tape or Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 0.34 W | |
| Product | MOSFET Small Signal | |
| Product Category | MOSFET | |
| Product Type | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 0.5 nC | |
| Qualification | AEC-Q101 | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms | |
| Rise Time | 6 ns | |
| Subcategory | MOSFETs | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 2 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V | |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.1 V | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA | |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V | |
| Maximum Power Dissipation | 445 mW | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Pin Count | 6 | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V | |
| Width | 1.35mm | |
| Вес, г | 0.09 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
