BCX17.215

Фото 1/5 BCX17.215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 515 шт.
от 1200 шт.5.70 руб.
Добавить в корзину 515 шт. на сумму 3 605 руб.
Альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8001776785
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор PNP, биполярный, 45В, 500мА, 250мВт, SOT23

Технические параметры

Корпус to236
кол-во в упаковке 3000
Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3 mm
Другие названия товара № BCX17 T/R
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 80 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Base Product Number BCX17 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 80MHz
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 620mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Вес, г 0.044

Техническая документация

Datasheet BCX17,215
pdf, 297 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов