BSS123.215

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7 руб.

6 руб.

Мин. кол-во для заказа 589 шт.

от 1400 шт. — 5 руб.

от 6000 шт. — 4.41 руб.

Добавить в корзину 589 шт. на сумму 3 534 руб.

Альтернативные предложения3

Посмотреть аналоги4

Номенклатурный номер: 8001782466

Транзисторы и сборки MOSFET

Описание Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В, 150мА, 250мВт

Корпус	to236
кол-во в упаковке	3000
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	150mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	250mW
Rds On - Drain-Source Resistance	6О© @ 120mA,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100V
Vgs - Gate-Source Voltage	2.8V @ 1mA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	150 mA
Maximum Drain Source Resistance	6 Ω
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.8V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	250 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	1.4mm
Вес, г	0.02