2SK3878STA1.E.S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
266 шт. со склада г.Москва, срок 4-7 дней
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
Добавить в корзину 24 шт.
на сумму 3 600 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание MOSFET транзистор TO-3P[N]
Технические параметры
| Корпус | to3p | |
| кол-во в упаковке | 200 | |
| Automotive | No | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 9 | |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1300@10V | |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 900 | |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 | |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 150000 | |
| Military | No | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 | |
| Pin Count | 3 | |
| Process Technology | pi-MOS IV | |
| Standard Package Name | TO-3PN | |
| Supplier Package | TO-3PN | |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 60 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 60@10V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2200@25V | |
| Вес, г | 6.406 |
Техническая документация
Datasheet - 2SK3878
pdf, 210 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
