BSR33.115

Фото 2/5 BSR33.115Фото 3/5 BSR33.115Фото 4/5 BSR33.115Фото 5/5 BSR33.115
Фото 1/5 BSR33.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001788551
Производитель: NXP Semiconductor
11 руб.
592 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 217 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
100 руб. 2-4 недели, 4810 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 76 руб.
от 50 шт. — 50 руб.
43 руб. 3-4 недели, 222 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 32 руб.
от 30 шт. — 29.50 руб.
от 100 шт. — 27.50 руб.
37 руб. 7 дней, 540 шт. 20 шт. 20 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO243

Корпус TO243, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер -0.5 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер -1.2 V
Длина 4.6мм
Максимальное напряжение коллектор-база -90 V
Transistor Configuration Одинарный
Производитель Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 80 V
Тип корпуса SOT-89
Максимальное рассеяние мощности 1,35 Вт
Тип монтажа Surface Mount
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 2.6мм
Максимальный пост. ток коллектора 1 A
Тип транзистора PNP
Высота 1.6мм
Число контактов 3
Размеры 4.6 x 2.6 x 1.6мм
Максимальное напряжение эмиттер-база -5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 30
Вес, г 0.195

Дополнительная информация

Datasheet BSR33.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.