PUMD16,115, Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35668 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
13 руб.
Мин. кол-во для заказа 38 шт.
от 384 шт. —
10 руб.
от 767 шт. —
8.30 руб.
от 1534 шт. —
7.30 руб.
Добавить в корзину 38 шт.
на сумму 494 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки цифровых транзисторов
Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм)
Технические параметры
Корпус | TSSOP6 | |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 1 mm | |
Длина | 2.2 mm | |
Другие названия товара № | PUMD16 T/R | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным | |
Количество каналов | 2 Channel | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 | |
Конфигурация | Dual | |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 65 C | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA | |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | NPN, PNP | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | |
Типичное входное сопротивление | 22 kOhms | |
Типичный коэффициент деления резистора | 0.476 | |
Торговая марка | Nexperia | |
Упаковка / блок | SC-88-6 | |
Ширина | 1.35 mm | |
Collector Current (Ic) | 100mA | |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA | |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@10mA, 0.5mA | |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@5mA, 5V | |
Input Resistor | 22kΩ | |
Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce) | 800mV@100uA, 5V | |
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | 1.1V@2mA, 0.3V | |
Operating Temperature | - | |
Output Voltage (VO(on)@Io/Ii) | - | |
Power Dissipation (Pd) | 300mW | |
Resistor Ratio | 2.1 | |
Transistor Type | 1 NPN-Pre-Biased, 1 PNP-Pre-Biased | |
Transition Frequency (fT) | - | |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 399 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.