PUMD16,115, Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм)

Фото 1/3 PUMD16,115, Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
35668 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
13 руб.
Мин. кол-во для заказа 38 шт.
от 384 шт.10 руб.
от 767 шт.8.30 руб.
от 1534 шт.7.30 руб.
Добавить в корзину 38 шт. на сумму 494 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8001801546
Артикул: PUMD16,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки цифровых транзисторов
Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм)

Технические параметры

Корпус TSSOP6
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Другие названия товара № PUMD16 T/R
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Количество каналов 2 Channel
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 80
Конфигурация Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 80
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN, PNP
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 22 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 0.476
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SC-88-6
Ширина 1.35 mm
Collector Current (Ic) 100mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 150mV@10mA, 0.5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 80@5mA, 5V
Input Resistor 22kΩ
Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce) 800mV@100uA, 5V
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) 1.1V@2mA, 0.3V
Operating Temperature -
Output Voltage (VO(on)@Io/Ii) -
Power Dissipation (Pd) 300mW
Resistor Ratio 2.1
Transistor Type 1 NPN-Pre-Biased, 1 PNP-Pre-Biased
Transition Frequency (fT) -
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 399 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.