PBSS5540X.135
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 руб.
Мин. кол-во для заказа 65 шт.
Добавить в корзину 65 шт.
на сумму 2 600 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор маломощный SOT89
Технические параметры
| Корпус | to243 | |
| кол-во в упаковке | 4000 | |
| Pd - рассеивание мощности | 550 mW | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1.6 mm | |
| Длина | 4.6 mm | |
| Другие названия товара № | /T3 PBSS5540X | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 | |
| Конфигурация | Single | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 0.5 A at 2 V | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V | |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | PNP | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 60 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 4000 | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | TO-243-3 | |
| Ширина | 2.6 mm | |
| Brand | Nexperia | |
| Collector- Base Voltage VCBO | 40 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -40 V | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current | -4 A | |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 250 | |
| DC Current Gain hFE Max | 250 at 0.5 A at 2 V | |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V | |
| Factory Pack Quantity | 4000 | |
| Gain Bandwidth Product fT | 60 MHz | |
| Height | 1.6 mm | |
| Length | 4.6 mm | |
| Manufacturer | Nexperia | |
| Maximum DC Collector Current | -10 A | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -65 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Package / Case | TO-243-3 | |
| Packaging | Reel | |
| Part # Aliases | /T3 PBSS5540X | |
| Pd - Power Dissipation | 550 mW | |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
| RoHS | Details | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Unit Weight | 0.035274 oz | |
| Width | 2.6 mm | |
| Вес, г | 0.157 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ
Datasheet PBSS5540X,135
pdf, 227 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
