BSP318SH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
176 руб.
от 90 шт. —
153.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Полевой транзистор BSP318SH6327XTSA1 производства INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для использования в SMD монтаже. С током стока до 2,6 А, напряжением сток-исток до 60 В и мощностью 1,8 Вт, этот транзистор обеспечивает надежную работу в различных электронных устройствах. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,09 Ом, что гарантирует высокую эффективность в его области применения. Корпус SOT223 обеспечивает удобство монтажа и экономию пространства на плате. Использование BSP318SH6327XTSA1, каталожный номер которого BSP318SH6327XTSA1, обещает повышение производительности и надежности ваших проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 2.6 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 1.8 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.09 |
| Корпус | SOT223 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min | 2.4 S |
| Height | 1.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 2.6 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSP318S H6327 SP001058838 |
| Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 20 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 70 mOhms |
| Rise Time | 15 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSP318 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Width | 3.5 mm |
| Base Product Number | BSP318 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.6A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.6A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20ВµA |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 150 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Вес, г | 0.197 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BSP318SH6327XTSA1
pdf, 415 КБ
Datasheet BSP318SH6327XTSA1
pdf, 354 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
