BSS119NH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
72 руб.
от 10 шт. —
54 руб.
от 100 шт. —
37.17 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSS119NH6327XTSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD). Этот N-MOSFET транзистор имеет максимальный ток стока 0,19 А и напряжение сток-исток 100 В, что делает его подходящим для разнообразных электронных схем. С мощностью 0,5 Вт и сопротивлением в открытом состоянии 10 Ом, он обеспечивает надежную и эффективную работу при минимальном энергопотреблении. Устройство заключено в компактный корпус SOT23, что облегчает его интеграцию в различные электронные устройства. Используя код BSS119NH6327XTSA1, вы легко найдете и приобретете этот транзистор для своих проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.19 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 10 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 9000 |
| Fall Time | 18.8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 350 mS |
| Height | 1.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 190 mA |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSS119N H6327 SP000870644 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 600 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.406 Ohms |
| Rise Time | 3.3 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSS119 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 2.7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.3 V |
| Width | 1.3 mm |
| Base Product Number | BSS119 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 190mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20.9pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 190mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 13ВµA |
| Automotive | Yes |
| Channel Type | N |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.19 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6000 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.3 |
| Maximum IDSS (uA) | 0.01 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | Unknown |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Typical Fall Time (ns) | 18.8 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 0.6 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.6 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 15.7 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 3.3 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 7 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 2.7 |
| Maximum Continuous Drain Current | 190 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Package Type | SOT-23 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 10 V |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 603 КБ
Datasheet BSS119NH6327XTSA1
pdf, 655 КБ
Datasheet BSS119NH6327XTSA1
pdf, 603 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
