2SC4102T106R
239 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
60 руб.
от 10 шт. —
42 руб.
от 100 шт. —
26.34 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
2SC4102 Series 120 V 50 mA NPN High Voltage Amplifier Transistor - SOT-323
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 120 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 120 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 50 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 180 |
DC Current Gain hFE Max | 560 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT | 140 MHz |
Height | 0.8 mm |
Length | 2 mm |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 0.05 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-323-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 0.3 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 2SC4102 |
Transistor Polarity | NPN |
Width | 1.25 mm |
Collector Current (Ic) | 50mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@10mA, 1mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@2mA, 6V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 140MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1772 КБ
Документация
pdf, 1794 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.