BFP840ESDH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
от 2 шт. —
170 руб.
от 3 шт. —
134 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Электроэлемент
RF TRANSISTOR, NPN, 2.25V, 80GHZ, SOT343; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:2.25V; Transition Frequency ft:80GHz; Power Dissipation Pd:75mW; DC Collector Current:35mA; DC Current Gain hFE:150hFE
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 2.25 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 35 mA |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 2.9 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Operating Frequency | 80 GHz |
| Package / Case | SOT-343-4 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | 840ESD BFP BFP84ESDH6327XT H6327 SP000943010 |
| Pd - Power Dissipation | 75 mW |
| Product Category | RF Bipolar Transistors |
| Qualification | AEC-Q100 |
| RoHS | Details |
| Series | BFP840 |
| Technology | SiGe |
| Transistor Type | Bipolar |
| Type | RF Silicon Germanium |
| Unit Weight | 0.000226 oz |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 2.25 V |
| Maximum DC Collector Current | 35 mA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-343 |
| Вес, г | 0.048 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 593 КБ
Документация
pdf, 554 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
