Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › BSP129H6906XTSA1

BSP129H6906XTSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

550 руб.

от 2 шт. — 490 руб.

от 10 шт. — 430 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 550 руб.

Номенклатурный номер: 8001934887

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор полевой BSP129H6906XTSA1 от INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для использования в SMD-монтаже. Изделие отличается током стока в 0,35 А и напряжением сток-исток до 240 В, что обеспечивает его надежную работу в широком диапазоне электронных схем. Мощность транзистора составляет 1,8 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 6 Ом. Устройство поставляется в компактном корпусе SOT223, который удобен для интеграции в печатные платы. Универсальность данного компонента BSP129H6906XTSA1 делает его идеальным выбором для разработчиков и инженеров, стремящихся к созданию эффективных и надежных электронных устройств. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	0.35
Напряжение сток-исток, В	240
Мощность, Вт	1.8
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	6
Корпус	SOT223

Технические параметры

Brand	Infineon Technologies
Channel Mode	Depletion
Configuration	1 N-Channel
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	35 ns
Forward Transconductance - Min	180 mS
Height	1.6 mm
Id - Continuous Drain Current	350 mA
Length	6.5 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	SOT-223-4
Packaging	Reel
Part # Aliases	BSP129 H6906 SP001058586
Pd - Power Dissipation	1.8 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	5.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	4.2 Ohms
Rise Time	4.1 ns
RoHS	Details
Series	BSP129
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	22 ns
Typical Turn-On Delay Time	4.4 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	240 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	-2.1 V
Width	3.5 mm
Id - непрерывный ток утечки	350 mA
Pd - рассеивание мощности	1.8 W
Qg - заряд затвора	5.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	240 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4.1 ns
Время спада	35 ns
Высота	1.6 mm
Длина	6.5 mm
Другие названия товара №	BSP129 H6906 SP001058586
Канальный режим	Depletion
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	180 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BSP129
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	22 ns
Типичное время задержки при включении	4.4 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.5 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	350 mA
Maximum Drain Source Voltage	240 V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	6 Ω
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	1.8 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	3.8 nC @ 5 V
Вес, г	0.3072