BSP295H6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
220 руб.
от 10 шт. —
193 руб.
от 100 шт. —
171.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 560 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSP295H6327XTSA1 от производителя INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент с SMD монтажом. Он характеризуется током стока 1,8 А, напряжением сток-исток 60 В и мощностью 1,8 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,3 Ом, что обеспечивает эффективную работу в различных областях применения. Корпус SOT223 делает его идеальным выбором для компактных схем. Модель BSP295H6327XTSA1 станет надежным решением для улучшения производительности ваших электронных устройств. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 1.8 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 1.8 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.3 |
| Корпус | SOT223 |
Технические параметры
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 1.8 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 300@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 1.8 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 1800 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Process Technology | SIPMOS |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 14 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 14@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 295@25V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 0.8 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.8 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Part # Aliases: | BSP295 H6327 SP001058618 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 220 mOhms |
| Rise Time: | 9.9 ns |
| Series: | BSP295 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 300 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-223 |
| Series | SIPMOS |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Width | 3.5mm |
| Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 442 КБ
Datasheet
pdf, 292 КБ
Datasheet BSP295H6327XTSA1
pdf, 442 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
