BSP296NH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
177 руб.
от 100 шт. —
155 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Полевой транзистор BSP296NH6327XTSA1 от производителя INFINEON представляет собой N-MOSFET устройство, подходящее для различных электронных схем. Монтаж данного транзистора выполнен в формате SMD, что обеспечивает удобство в интеграции на печатные платы. Ток стока достигает 1,2 А, а напряжение сток-исток составляет 100 В, что позволяет использовать его в цепях с высокими требованиями к электропитанию. Мощность транзистора ограничена 1,8 Вт, а сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,8 Ом, обеспечивая высокую эффективность при минимальных потерях. Компактный корпус SOT223 гарантирует экономию пространства на плате. Продукт BSP296NH6327XTSA1 является надежным компонентом для управления мощностью и сигналами в вашем проекте. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 1.2 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 1.8 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.8 |
| Корпус | SOT223 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 5.2 ns |
| Forward Transconductance - Min | 2.66 S |
| Height | 1.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 1.2 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSP296N H6327 SP001059330 |
| Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 6.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 329 mOhms |
| Rise Time | 3.8 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSP296 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 18.4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Width | 3.5 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| Qg - заряд затвора | 6.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 329 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 3.8 ns |
| Время спада | 5.2 ns |
| Высота | 1.6 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Другие названия товара № | BSP296NH6327XTSA1 SP001059330 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.66 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | BSP296 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 18.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.5 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Base Product Number | BSP296 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 152.7pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.2A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 100ВµA |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 800 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V |
| Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BSP296N H6327
pdf, 554 КБ
Infineon-BSP296N-DS-v02_00-en
pdf, 569 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
