BSS225H6327FTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
190 руб.
от 10 шт. —
159 руб.
от 100 шт. —
138.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSS225H6327FTSA1 от производителя INFINEON представляет собой высоковольтный компонент, оптимизированный для работы в SMD-монтаже. С током стока 0,09 А и напряжением сток-исток до 600 В, этот транзистор обладает мощностью 1 Вт и сопротивлением в открытом состоянии 45 Ом. Корпус SOT89 обеспечивает его надежность и долговечность в различных областях применения. Код товара BSS225H6327FTSA1 важен для точной идентификации и заказа, обратите внимание на его правильное указание как BSS225H6327FTSA1 при покупке для избежания ошибок. Этот компонент идеально подходит для разработки эффективных и компактных электронных устройств. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.09 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 1 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 45 |
| Корпус | SOT89 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 41 ns |
| Forward Transconductance - Min | 50 mS |
| Height | 1.5 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 90 mA |
| Length | 4.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSS225 H6327 SP001047644 |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 5.8 nC |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 28 Ohms |
| Rise Time | 38 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSS225 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 62 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Unit Weight | 0.004603 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.3 V |
| Width | 2.5 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 41 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 50 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 mA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Part # Aliases: | BSS225 H6327 SP001047644 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.8 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 Ohms |
| Rise Time: | 38 ns |
| Series: | BSS225 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 mA |
| Package Type | SOT89 |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet BSS225H6327FTSA1
pdf, 449 КБ
Datasheet BSS225H6327FTSA1
pdf, 457 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
