IPP50R380CEXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
от 2 шт. —
420 руб.
от 5 шт. —
339 руб.
от 10 шт. —
311.22 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPP50R380CEXKSA1 от производителя INFINEON - надежный компонент для мощных электронных схем. Рассчитанный на ток стока в 9,9 А и способный выдерживать напряжение сток-исток до 500 В, этот транзистор гарантирует стабильную работу при мощности до 73 Вт. С низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,38 Ом и монтажом THT, он идеален для использования в различных устройствах. Тип N-MOSFET и корпус PG-TO220-3 дополнительно упрощают интеграцию в электронные схемы. Транзистор IPP50R380CEXKSA1 станет надежным элементом для вашего проекта, обеспечивая высокую производительность и долговечность. Код товара для заказа: IPP50R380CEXKSA1. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 9.9 |
| Напряжение сток-исток, В | 500 |
| Мощность, Вт | 73 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.38 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 10.6 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 380@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 550 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | CoolMOS |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 32 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 32@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 700@100V |
| Forward Diode Voltage | 0.85V |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 550 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 73 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220 |
| Series | CoolMOS CE |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 24.8 nC @ 10 V |
| Width | 4.57mm |
| Вес, г | 2.84 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
