IRF740B

Фото 1/2 IRF740B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
520 руб.
от 2 шт.420 руб.
от 5 шт.341 руб.
от 10 шт.313.74 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 520 руб.
Номенклатурный номер: 8001935370

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 400 В 10 А 147 Вт TO-220

Технические параметры

Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single
Factory Pack Quantity 50
Fall Time 24 ns
Forward Transconductance - Min 5.8 S
Id - Continuous Drain Current 10 A
Manufacturer Vishay
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 125 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 63 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 550 mOhms
Rise Time 27 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 50 ns
Typical Turn-On Delay Time 14 ns
Unit Weight 0.211644 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 400 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Case TO220AB
Drain current 10A
Drain-source voltage 400V
Gate charge 30nC
Gate-source voltage ±30V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Mounting THT
On-state resistance 0.6Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 147W
Pulsed drain current 23A
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 1

Техническая документация

Документация
pdf, 283 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов