2N2222A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 610 руб.
от 2 шт. —
1 490 руб.
от 5 шт. —
1 390 руб.
от 10 шт. —
1 333.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 610 руб.
Описание
Электроэлемент
Transistor NPN Silicon 40V IC=800ma TO-18 Case Small Signal General Purpose Switching
Технические параметры
Category | Bipolar Power |
Collector Current (DC) | 0.8(A) |
Collector-Base Voltage | 75(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 35 |
Emitter-Base Voltage | 6(V) |
Frequency | 300(MHz) |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Output Power | Not Required(W) |
Package Type | TO-18 |
Pin Count | 3 |
Power Dissipation | 0.5(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | NPN |
Brand: | Microchip Technology |
Collector- Base Voltage VCBO: | 75 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 800 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 75 at 1 mA, 10 VDC |
DC Current Gain hFE Max: | 325 at 1 mA, 10 VDC |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum DC Collector Current: | 800 mA |
Maximum Operating Temperature: | +200 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-18-3 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 151 КБ
Документация
pdf, 256 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов