2N2222A

2N2222A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 610 руб.
от 2 шт.1 490 руб.
от 5 шт.1 390 руб.
от 10 шт.1 333.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 610 руб.
Номенклатурный номер: 8001937921

Описание

Электроэлемент
Transistor NPN Silicon 40V IC=800ma TO-18 Case Small Signal General Purpose Switching

Технические параметры

Category Bipolar Power
Collector Current (DC) 0.8(A)
Collector-Base Voltage 75(V)
Configuration Single
DC Current Gain 35
Emitter-Base Voltage 6(V)
Frequency 300(MHz)
Mounting Through Hole
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Output Power Not Required(W)
Package Type TO-18
Pin Count 3
Power Dissipation 0.5(W)
Rad Hardened No
Transistor Polarity NPN
Brand: Microchip Technology
Collector- Base Voltage VCBO: 75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 800 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 75 at 1 mA, 10 VDC
DC Current Gain hFE Max: 325 at 1 mA, 10 VDC
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1
Manufacturer: Microchip
Maximum DC Collector Current: 800 mA
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-18-3
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.38

Техническая документация

Datasheet
pdf, 151 КБ
Документация
pdf, 256 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов