MJD112T4

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

107 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней

180 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 10 шт. — 130 руб.

от 100 шт. — 118 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 360 руб.

Альтернативные предложения4

Посмотреть аналоги6

Номенклатурный номер: 8001938079

Электроэлемент

Описание Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 2А, 20Вт, DPAK Характеристики

Base-Emitter Saturation Voltage (Max)	4(V)
Collector Current (DC)	2(A)
Collector Current (DC) (Max)	4 A
Collector-Base Voltage	100(V)
Collector-Base Voltage (Max)	100 V
Collector-Base Voltage(Max)	100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2(V)
Collector-Emitter Voltage	100(V)
Configuration	Single
DC Current Gain	200
Emitter-Base Voltage	5(V)
Emitter-Base Voltage (Max)	5 V
Maximum Collector Cut-off Current	20
Mounting	Surface Mount
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-65C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Package Type	DPAK
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	2+Tab
Polarity	NPN
Power Dissipation	20(W)
Rad Hardened	No
Brand:	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO:	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	100 V
Configuration:	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min:	200
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current:	20 uA
Maximum DC Collector Current:	2 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	TO-252
Product Category:	Darlington Transistors
Product Type:	Darlington Transistors
Series:	MJD112
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.66