MJD117T4

Фото 1/6 MJD117T4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
30 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.130 руб.
от 10 шт.100 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги7
Номенклатурный номер: 8001938081
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 2А, 20Вт, DPAK Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Brand STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hfe Min 200
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 2500
Height 2.4 mm
Length 6.6 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current 20 uA
Maximum DC Collector Current 2 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TO-252
Packaging Reel
Product Category Darlington Transistors
RoHS Details
Series MJD117T4
Transistor Polarity PNP
Width 6.2 mm
Automotive No
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Gull-wing
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 4@40mA@4A
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Collector Cut-Off Current (uA) 20
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 3@40mA@4A|2@8mA@2A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 100
Maximum Continuous DC Collector Current (A) 2
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 20000
Minimum DC Current Gain 500@500mA@3V|200@4A@3V|1000@2A@3V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Part Status Active
PCB changed 2
Pin Count 3
PPAP No
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Supplier Temperature Grade Industrial
Tab Tab
Type PNP
Typical Current Gain Bandwidth (MHz) 25(Min)
Brand: STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hFE Min: 200
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current: 20 uA
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: TO-252
Product Category: Darlington Transistors
Product Type: Darlington Transistors
Series: MJD117
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 4 V
Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 3 V
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Maximum Continuous Collector Current 4 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type DPAK(TO-252)
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Вес, г 0.66

Техническая документация

Datasheet
pdf, 379 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 366 КБ
Datasheet
pdf, 368 КБ
Datasheet
pdf, 578 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.