VEMD6110X01
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
181 руб.
от 54 шт. —
160 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Электроэлемент
PIN PHOTODIODE, 950NM, 60DEG, 1206, No. of Pins:2Pins, Diode Case Style:1206, Wavelength of Peak Sensitivity:950nm, Angle of Half Sensitivity :60 , Dark Current:1nA, Operating Temperature Min:-40 C, Operating Temperature Max:110 C , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Brand | Vishay Semiconductors |
Dark Current | 1 nA |
Fall Time | 100 ns |
Half Intensity Angle Degrees | 60 deg |
Manufacturer | Vishay |
Maximum Dark Current | 3 nA |
Maximum Operating Temperature | +110 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | 1206 |
Packaging | Reel |
Peak Wavelength | 950 nm |
Photocurrent | 9.5 uA |
Power Dissipation | 215 mW |
Product | PIN Photodiodes |
Product Category | Photodiodes |
Reverse Voltage | 32 V |
Rise Time | 100 ns |
RoHS | Details |
Series | VEMD |
Amplifier Function | No |
Automotive Standard | AEC-Q101 |
Breakdown Voltage | 32V |
Diode Material | Si |
Minimum Wavelength Detected | 750nm |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Package Type | 1206 |
Spectrums Detected | Infrared |
Typical Fall Time | 100ns |
Typical Rise Time | 100ns |
Wavelength of Peak Sensitivity | 950nm |
Width | 2mm |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 155 КБ
Документация
pdf, 154 КБ