SIHP25N50E-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 210 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 210 руб.
Описание
Электроэлемент
SIHP25N50E Series 500 V 26 A 145 mOhm Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 26A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1980pF @ 100V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Base Product Number | SIHP25 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| Package | Tube |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
