BSP716NH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
230 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
от 21 шт. —
182.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 580 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSP716NH6327XTSA1 от INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент для SMD монтажа. Он отличается стоковым током на уровне 2,3 А и напряжением сток-исток, достигающим 75 В. Этот транзистор обладает мощностью 1,8 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,18 Ом, что обеспечивает эффективную работу в различных электронных схемах. Корпус SOT223 гарантирует легкость интеграции в печатные платы. Идеален для использования в силовой электронике, благодаря своим техническим характеристикам. Для приобретения ищите артикул BSP716NH6327XTSA1 в нашем ассортименте. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 2.3 |
| Напряжение сток-исток, В | 75 |
| Мощность, Вт | 1.8 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.18 |
| Корпус | SOT223 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 16.7 ns |
| Height | 1.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | BSP716N H6327 SP001087514 |
| Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 8.7 nC |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 160 mOhms |
| Rise Time | 5.5 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50.1 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 4.6 ns |
| Unit Weight | 0.003951 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Width | 3.5 mm |
| Вес, г | 0.266 |
Техническая документация
Datasheet BSP716NH6327XTSA1
pdf, 584 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
