IPA60R650CEXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
от 2 шт. —
350 руб.
от 5 шт. —
279 руб.
от 10 шт. —
253.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPA60R650CEXKSA1 от известного производителя INFINEON – это надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С током стока 7 А и напряжением сток-исток 600 В, этот транзистор отличается высокой эффективностью при мощности в 28 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,65 Ом, что гарантирует отличные проводящие характеристики. Устройство заключено в надежный корпус PG-TO220 FullPAK, обеспечивающий долгий срок службы. Идеальный выбор для устройств требующих компактных и мощных решений. Приобрести транзистор IPA60R650CEXKSA1 можно прямо сейчас в нашем интернет-магазине. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 7 |
Напряжение сток-исток, В | 600 |
Мощность, Вт | 28 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.65 |
Корпус | PG-TO220 FullPAK |
Технические параметры
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
Pd - рассеивание мощности | 28 W |
Qg - заряд затвора | 20.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 650 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 8 ns |
Время спада | 11 ns |
Высота | 16.15 mm |
Длина | 10.65 mm |
Другие названия товара № | IPA60R650CE SP001276044 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | CoolMOS |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | CoolMOS CE |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 58 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.85 mm |
Вес, г | 2.875 |
Техническая документация
Datasheet IPA60R650CEXKSA1
pdf, 867 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов