SIHP15N50E-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
700 руб.
от 2 шт. —
580 руб.
от 5 шт. —
504 руб.
от 9 шт. —
470 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 700 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 500V, 14.5A, TO220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.243ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:156W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:E Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14.5A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1162pF @ 100V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 14.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Qg - заряд затвора | 33 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 243 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 24 ns |
| Время спада | 18 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | E |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Вес, г | 2.173 |
Техническая документация
Datasheet SIHP15N50E-GE3
pdf, 282 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
