IPP60R180C7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 050 руб.
от 2 шт. —
930 руб.
от 5 шт. —
858 руб.
от 10 шт. —
825 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 050 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPP60R180C7XKSA1 от INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент в корпусе PG-TO220, предназначенный для монтажа THT. Он отличается током стока 13 А, напряжением сток-исток 600 В и мощностью 68 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,18 Ом, что обеспечивает эффективную и экономичную работу в различных электронных схемах. IPP60R180C7XKSA1 – идеальный выбор для проектов, требующих надежного и долговечного полевого транзистора с высокими электрическими характеристиками. Код продукта для поиска на сайте: IPP60R180C7XKSA1. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 13 |
Напряжение сток-исток, В | 600 |
Мощность, Вт | 68 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.18 |
Корпус | PG-TO220 |
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 13 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 180@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 68000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tube |
Pin Count | 3 |
Process Technology | CoolMOS C7 |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220 |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 24 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 24@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1080@400V |
Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.18 O |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Series | CoolMOS C7 |
Transistor Material | Si |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
Fall Time: | 6 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IPP60R180C7 SP001277624 |
Pd - Power Dissipation: | 68 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 24 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 155 mOhms |
Rise Time: | 7 ns |
Series: | CoolMOS C7 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | CoolMOS |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 9.3 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов