AO3416, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 5,2А, 0,9Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
58 руб.
от 25 шт. —
26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 58 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 5,2А, 0,9Вт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | SOT23 |
Drain current | 5.2A |
Drain-source voltage | 20V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate charge | 10nC |
Gate-source voltage | ±8V |
Kind of channel | enhanced |
Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 22mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 0.9W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 6.5A |
Drain-Source On-Res | 0.022Ohm |
Drain-Source On-Volt | 20V |
Gate-Source Voltage (Max) | plusmn;8V |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Polarity | N |
Type | Power MOSFET |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet AO3416
pdf, 411 КБ
Документация
pdf, 12 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов