BSR315PH6327XTSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

170 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 120 руб.

от 10 шт. — 94 руб.

от 100 шт. — 75.88 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 340 руб.

Номенклатурный номер: 8001945984

Электроэлемент

Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -0,49А, 0,5Вт, SC59 Характеристики

Brand	Infineon Technologies
Channel Mode	Enhancement
Configuration	1 P-Channel
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	20 ns
Forward Transconductance - Min	500 mS
Height	1.1 mm
Id - Continuous Drain Current	-620 mA
Length	2.9 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	Reel
Part # Aliases	BSR315P H6327 SP001101032
Pd - Power Dissipation	500 mW
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	620 mOhms
Rise Time	28 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	P-Channel
Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	21 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	-60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	+/-20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	-2 V
Width	1.3 mm
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	620 mA
Maximum Drain Source Resistance	0.8 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SC-59
Pin Count	3
Series	SIPMOS®
Transistor Material	Si

pdf, 437 КБ

Мы рекомендуем