BC817UPNE6327HTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
90 руб.
от 10 шт. —
72 руб.
от 72 шт. —
54.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
Электроэлемент
45V 330mW 160@100mA,1V 500mA 1PCSNPN&1PCSPNP SC-74-6 BIpolar TransIstors - BJT
Технические параметры
Base Part Number | BC817 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
Frequency - Transition | 170MHz |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Last Time Buy |
Power - Max | 330mW |
Supplier Device Package | PG-SC74-6 |
Transistor Type | NPN, PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Base Product Number | BC817 -> |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 700 mV |
Configuration: | Dual |
Continuous Collector Current: | 500 mA |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 160 |
DC Current Gain hFE Max: | 400 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 170 MHz |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SC-74-6 |
Part # Aliases: | BC 817UPN E6327 SP000012398 |
Pd - Power Dissipation: | 330 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.0122 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 523 КБ
Документация
pdf, 524 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов