AUIRF4905S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
810 руб.
от 2 шт. —
680 руб.
от 3 шт. —
630 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 810 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, AECQ101. P CH, 55V, 42A, TO263AB; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-42A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):0.02ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; Power Dissipation Pd:170W; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 70 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 20@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 170000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 120 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 120@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3500@25V |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 70 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 20 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 170000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| PPAP | Unknown |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 64 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 120 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 120 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3500 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 99 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 51 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
| Drain Source On State Resistance | 0.02Ом |
| Power Dissipation | 170Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Непрерывный Ток Стока | 70А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 170Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.02Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Datasheet AUIRF4905S
pdf, 612 КБ
Datasheet AUIRF4905STRL
pdf, 615 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
