DTC113ZCAT116

Фото 1/3 DTC113ZCAT116
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
61 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.63 руб.
от 10 шт.45 руб.
от 61 шт.29.87 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001955381
Бренд: Rohm

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT23, R1: 1кОм Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Brand ROHM Semiconductor
Channel Mode Enhancement
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min 33
Factory Pack Quantity 3000
Manufacturer ROHM Semiconductor
Maximum DC Collector Current 100 mA
Maximum Operating Frequency 250 MHz
Maximum Operating Temperature +150 C
Mounting Style SMD/SMT
Output Voltage 100 mV
Package / Case SOT-23-3
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 200 mW
Peak DC Collector Current 100 mA
Product Category Bipolar Transistors-Pre-Biased
RoHS Details
Series DTx
Transistor Polarity NPN
Typical Input Resistor 1 kOhms
Typical Resistor Ratio 10
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Выходное напряжение 100 mV
Другие названия товара № DTC113ZCA
Канальный режим Enhancement
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 33
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальная рабочая частота 250 MHz
Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DTx
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 1 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 10
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Base-Emitter Resistor 10kΩ
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum Emitter Base Voltage 50 V
Maximum Power Dissipation 200 mW
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Common Emitter
Transistor Type NPN
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet DTC113ZCAT116
pdf, 867 КБ
DTC113ZCAT116
pdf, 862 КБ
Документация
pdf, 894 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.