IPP076N15N5AKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 750 руб.
от 2 шт. —
1 620 руб.
от 5 шт. —
1 500 руб.
от 10 шт. —
1 441.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 750 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 150V, 112A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:112A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0059ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.8
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 112 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 7.6@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 150 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4.6 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 214000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | OptiMOS???5 |
| Supplier Package | TO-220 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 49 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 49@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3600@75V |
| Id - непрерывный ток утечки | 112 A |
| Pd - рассеивание мощности | 214 W |
| Qg - заряд затвора | 61 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 4 ns |
| Время спада | 4 ns |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Другие названия товара № | IPP076N15N5 SP001180658 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 45 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | OptiMOS 5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Base Product Number | IPP076 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 112A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 75V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6mOhm @ 56A, 10 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | OptiMOSв„ў 5 -> |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.6V @ 160ВµA |
| Drain Source On State Resistance | 0.0059Ом |
| Power Dissipation | 214Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Непрерывный Ток Стока | 112А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Рассеиваемая Мощность | 214Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0059Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1677 КБ
Datasheet IPP076N15N5AKSA1
pdf, 1627 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
