IPS70R600P7SAKMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
360 руб.
от 2 шт. —
260 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 360 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 700V, 8.5A, 43.1W, TO-251; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.5A; Drain Source Voltage Vds:700V; On Resistance Rds(on):0.49ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 8.5 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 600@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 700 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 16 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 43100 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -40~150 |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | CoolMOS P7 |
| Supplier Package | TO-251 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 10.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 10.5@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 364@400V |
| Base Product Number | IPS70R600 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 364pF @ 400V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.8A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | CoolMOSв„ў P7 -> |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90ВµA |
| Drain Source On State Resistance | 0.49Ом |
| Power Dissipation | 43.1Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
| Непрерывный Ток Стока | 8.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 43.1Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.49Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 600 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Package Type | IPAK SL(TO-251 SL) |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 920 КБ
Документация
pdf, 1173 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
